DDR3是一種電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的執行效能與更低的電壓。下面是由本站小編為大家準備的DDR3技術概論，喜歡的可以收藏一下!瞭解更多詳情資訊，請關注應屆畢業生考試網!
DDR3技術概論
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/O介面，運作I/O電壓是1.5V，採用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
DDR3記憶體的技術改進
邏輯Bank數量：DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的`需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
封裝：DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。
突發長度：由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期(BL，Burst Length)也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。
定址時序：DDR3的延遲在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。
降低功耗：DDR3記憶體在達到高頻寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關資料預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗。
