半導體二極體主要是依靠PN接面而工作的。與PN接面不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極體的範圍內。下面，小編為大家分享二極體的構造分類，快來看看吧!
檯面型
PN接面的製作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN接面及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出檯面形，因而得名。初期生產的檯面型，是對半導體材料使用擴散法而製成的。
因此，又把這種檯面型稱為擴散檯面型。對於這一型別來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。
平面型
在半導體單晶片(主要地是N型矽單晶片)上，擴散P型雜質，利用矽片表面氧化膜的遮蔽作用，在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN接面。因此，不需要為調整PN接面面積的藥品腐蝕作用。
由於半導體表面被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的型別。
最初，對於被使用的半導體材料是採用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極體而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
合金擴散型
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN接面中獲得雜質的恰當的濃度分佈。此法適用於製造高靈敏度的變容二極體。
外延型
用外延面長的過程製造PN接面而形成的二極體。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分佈，故適宜於製造高靈敏度的變容二極體。
肖特基
基本原理是：在金屬(例如鉛)和半導體(N型矽片)的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN接面的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能製作開關二極體和低壓大電流整流二極體。
點接觸型
點接觸型二極體是在鍺或矽材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN接面的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極體正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。
面接觸型
面接觸型或稱面積型二極體的結是用合金法或擴散法做成的，由於這種二極體的PN接面面積大，可承受較大電流，但極間電容也大。這類器件適用於整流，而不宜用於高頻率電路中。
鍵型
鍵型二極體是在鍺或矽的單晶片上熔金或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型二極體和合金型二極體之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極體的PN接面電容量稍有增加，但正向特性特別優良。
多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流(不大於50mA)。在鍵型二極體中，熔接金絲的二極體有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極體有時被稱為銀鍵型。
合金型
在N型鍺或矽的單晶片上，通過加入合金銦、鋁等金屬的方法制作PN接面而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN接面反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。
擴散型
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或矽的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN接面。因PN接面正向電壓降小，適用於大電流整流。最 近，使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
